P2610BD
P2610BD
ПроизводительNIKO Semicon
Партномер производителяP2610BD
ОписаниеTransistors/Thyristors NIKO Semicon P2610BD
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | NIKO Semicon |
| Вес | 0.464 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 36A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1918pF@25V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Power Dissipation (Pd) | 78W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 88pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 26.8mΩ@10V,10A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 41.5nC@10V |