PZD502CYB
PZD502CYB
ПроизводительNIKO Semicon
Партномер производителяPZD502CYB
ОписаниеTransistors/Thyristors NIKO Semicon PZD502CYB
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | NIKO Semicon |
| Вес | 0.06 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 700mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 38pF@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12pF@10V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 450mΩ@4.5V,0.6A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |