GT048N10T
GT048N10T
ПроизводительGOFORD
Партномер производителяGT048N10T
ОписаниеTransistors/Thyristors GOFORD GT048N10T
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | GOFORD |
| Вес | 2.824 |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 110A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4mΩ@10V |