GT130N10D3
GT130N10D3
ПроизводительGOFORD
Партномер производителяGT130N10D3
ОписаниеTransistors/Thyristors GOFORD GT130N10D3
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | GOFORD |
| Вес | 0.023 |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 52A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10.6mΩ@10V |