GT150N12T
GT150N12T
ПроизводительGOFORD
Партномер производителяGT150N12T
ОписаниеTransistors/Thyristors GOFORD GT150N12T
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | GOFORD |
| Вес | 2.816 |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 55A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.7V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V |