GT180P08M
GT180P08M
ПроизводительGOFORD
Партномер производителяGT180P08M
ОписаниеTransistors/Thyristors GOFORD GT180P08M
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | GOFORD |
| Вес | 1.69 |
| Type | 1 Piece P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 89A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V |