GT750P10M
GT750P10M
ПроизводительGOFORD
Партномер производителяGT750P10M
ОписаниеTransistors/Thyristors GOFORD GT750P10M
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | GOFORD |
| Вес | 1.636 |
| Type | 1 Piece P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 24A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 53mΩ@10V |