HYG400N15NS1P
HYG400N15NS1P
ПроизводительHUAYI
Партномер производителяHYG400N15NS1P
ОписаниеTransistors/Thyristors HUAYI HYG400N15NS1P
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | HUAYI |
| Вес | 2.73 |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 40A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.14nF |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Power Dissipation (Pd) | 115W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.5pF@75V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@10V,20A |