HY050N08B
HY050N08B
ПроизводительHUAYI
Партномер производителяHY050N08B
ОписаниеTransistors/Thyristors HUAYI HY050N08B
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | HUAYI |
| Вес | 2.18 |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 105A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 85V |
| Power Dissipation (Pd) | 166W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5mΩ@10V,40A |