HY10P10D
HY10P10D
ПроизводительHUAYI
Партномер производителяHY10P10D
ОписаниеTransistors/Thyristors HUAYI HY10P10D
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | HUAYI |
| Вес | 0.42 |
| Type | 1 Piece P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Power Dissipation (Pd) | 31.3W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 225mΩ@10V,10A |