MTE65N20H8
MTE65N20H8
ПроизводительCYSTECH
Партномер производителяMTE65N20H8
ОписаниеTransistors/Thyristors CYSTECH MTE65N20H8
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | CYSTECH |
| Вес | 0.13 |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 24A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Power Dissipation (Pd) | 107W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,11A |