TSP10N60M
TSP10N60M
ПроизводительTruesemi
Партномер производителяTSP10N60M
ОписаниеTransistors/Thyristors Truesemi TSP10N60M
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | Truesemi |
| Вес | 2.66 |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Power Dissipation (Pd) | 162W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ |