TSA11N90M
TSA11N90M
ПроизводительTruesemi
Партномер производителяTSA11N90M
ОписаниеTransistors/Thyristors Truesemi TSA11N90M
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | Truesemi |
| Вес | 6.8 |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Power Dissipation (Pd) | 130W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3Ω@10V,4.5A |
