EMB17C03G
EMB17C03G
ПроизводительEMC
Партномер производителяEMB17C03G
ОписаниеTransistors/Thyristors EMC EMB17C03G
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | EMC |
| Вес | 0.196 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Type | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 597pF@15V;1407pF@15V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.6W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 96pF@15V;164pF@15V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,8A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14nC@10V;20.3nC@10V |