CTD10N100
CTD10N100
ПроизводительConvert Semiconductor
Партномер производителяCTD10N100
ОписаниеTransistors/Thyristors Convert Semiconductor CTD10N100
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | Convert Semiconductor |
| Вес | 0.435 |
| Type | - |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |