OSG80R1K4DF
OSG80R1K4DF
ПроизводительORIENTAL SEMI
Партномер производителяOSG80R1K4DF
ОписаниеTransistors/Thyristors ORIENTAL SEMI OSG80R1K4DF
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | ORIENTAL SEMI |
| Вес | 0.32 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 363.5pF@50V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Power Dissipation (Pd) | 37W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.35pF@50V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@10V,2A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.5nC@10V |