OSG80R250FF
OSG80R250FF
ПроизводительORIENTAL SEMI
Партномер производителяOSG80R250FF
ОписаниеTransistors/Thyristors ORIENTAL SEMI OSG80R250FF
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | ORIENTAL SEMI |
| Вес | 2.2 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2425.4pF |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Power Dissipation (Pd) | 34W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.9V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3pF |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,8.5A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 41.2nC@10V |