GL8N04-8
GL8N04-8
ПроизводительGL
Партномер производителяGL8N04-8
ОписаниеTransistors/Thyristors GL GL8N04-8
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | GL |
| Вес | 0.112 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 415pF@20V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF@20V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@10V,8A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC |