GL20N02-8
GL20N02-8
ПроизводительGL
Партномер производителяGL20N02-8
ОписаниеTransistors/Thyristors GL GL20N02-8
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | GL |
| Вес | 0.12 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 210pF@10V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,10A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 28nC@10V |