AGMS5N50D
AGMS5N50D
ПроизводительAGM-Semi
Партномер производителяAGMS5N50D
ОписаниеTransistors/Thyristors AGM-Semi AGMS5N50D
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | AGM-Semi |
| Вес | 0.401 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Power Dissipation (Pd) | 24.5W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.2V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@10V,2.5A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |