AGM20P22E
AGM20P22E
ПроизводительAGM-Semi
Партномер производителяAGM20P22E
ОписаниеTransistors/Thyristors AGM-Semi AGM20P22E
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | AGM-Semi |
| Вес | 0.021 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Type | 1 Piece P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.2A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 959pF@50V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.7W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V,3A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 28.5nC@10V |