AGM2309EL
AGM2309EL
ПроизводительAGM-Semi
Партномер производителяAGM2309EL
ОписаниеTransistors/Thyristors AGM-Semi AGM2309EL
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | AGM-Semi |
| Вес | 0.016 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Type | 1 Piece P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 310pF@30V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,2A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@10V |