AGM304AP-B
AGM304AP-B
ПроизводительAGM-Semi
Партномер производителяAGM304AP-B
ОписаниеTransistors/Thyristors AGM-Semi AGM304AP-B
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | AGM-Semi |
| Вес | 0.055 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 45A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 867pF@15V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 35V |
| Power Dissipation (Pd) | 23W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.3mΩ@10V,20A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |