AGM30P35S
AGM30P35S
ПроизводительAGM-Semi
Партномер производителяAGM30P35S
ОписаниеTransistors/Thyristors AGM-Semi AGM30P35S
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | AGM-Semi |
| Вес | 0.099 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Type | 1 Piece P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 650pF@15V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 34.5mΩ@10V,5A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.5nC@10V |