ASU65R1K4E
ASU65R1K4E
ПроизводительANHI
Партномер производителяASU65R1K4E
ОписаниеTransistors/Thyristors ANHI ASU65R1K4E
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | ANHI |
| Вес | 0.6 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 238pF |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 655V |
| Power Dissipation (Pd) | 28W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.2pF |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.24Ω |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.76nC |