ASW65R022EFD
ASW65R022EFD
ПроизводительANHI
Партномер производителяASW65R022EFD
ОписаниеTransistors/Thyristors ANHI ASW65R022EFD
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | ANHI |
| Вес | 7.932 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 109A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.747nF |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Power Dissipation (Pd) | 500W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5.14pF |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 223nC |