D4N65
D4N65
ПроизводительWXDH
Партномер производителяD4N65
ОписаниеTransistors/Thyristors WXDH D4N65
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | WXDH |
| Вес | 0.389 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| configuration | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 610pF@25V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Power Dissipation (Pd) | 75W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.5pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14.5nC@10V |