E100N2P3OH1
E100N2P3OH1
ПроизводительExistar
Партномер производителяE100N2P3OH1
ОписаниеTransistors/Thyristors Existar E100N2P3OH1
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | Existar |
| Вес | 1.27 |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 325A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 12560pF@50V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Power Dissipation (Pd) | 536W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.2V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 40pF@50V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3mΩ@10V,40A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 203nC@10V |