ME8107-G
ME8107-G
ПроизводительMATSUKI
Партномер производителяME8107-G
ОписаниеTransistors/Thyristors MATSUKI ME8107-G
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | MATSUKI |
| Вес | 0.38 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Type | 1 Piece P-Channel |
| Continuous Drain Current (Id) | 14A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5330pF |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 35V |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 242pF |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5mΩ@10V,7A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 58nC@4.5V |