B15N10D
B15N10D
ПроизводительBITEK(Beyond Innovation Tech)
Партномер производителяB15N10D
ОписаниеTransistors/Thyristors BITEK(Beyond Innovation Tech) B15N10D
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | МОП-транзисторы |
| Производитель | BITEK(Beyond Innovation Tech) |
| Вес | 0.47 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 980pF@25V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Power Dissipation (Pd) | 27W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 66pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@10V,8A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |