TVSS5VCES-02GP-J
TVSS5VCES-02GP-J
ПроизводительSINO-IC
Партномер производителяTVSS5VCES-02GP-J
ОписаниеTransistors/Thyristors SINO-IC TVSS5VCES-02GP-J
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Защита от электростатических разрядов и перенапряжений (TVS/ESD) |
| Производитель | SINO-IC |
| Вес | 0.025 |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ |
| Type | ESD |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA |
| Breakdown Voltage | 5.8V |
| Level of Protection | IEC 61000-4-2;IEC 61000-4-4 |
| Junction Capacitance | 30pF |
| Peak Pulse Power Dissipation (Ppp) | 200W@8/20us |
| Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm) | 5V |
| polarity | Bidirectional |
| Voltage - Breakdown | 7.8V |