MMBT5401
MMBT5401
ПроизводительSINEDEVICE
Партномер производителяMMBT5401
ОписаниеTransistors/Thyristors SINEDEVICE MMBT5401
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Биполярные (BJT) |
| Производитель | SINEDEVICE |
| Вес | 0.032 |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA,5V |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Transition frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA,5mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |