KIA08TB70DD
KIA08TB70DD
ПроизводительKIA Semicon Tech
Партномер производителяKIA08TB70DD
ОписаниеDiodes KIA Semicon Tech KIA08TB70DD
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Быстровосстанавливаемые / высокоэффективные диоды |
| Производитель | KIA Semicon Tech |
| Вес | 0.453 |
| Operating Temperature | -65℃~+175℃@(Tj) |
| Rectified Current | 8A |
| Forward Voltage (Vf@If) | 1.8V@8A |
| Reverse Voltage (Vr) | 700V |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 25uA@600V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Diode Configuration | Independent |
| Reverse Leakage Current | 25uA@600V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 700V |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 100A |
| Current - Rectified | 8A |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃@(Tj) |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A |
