TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR
ПроизводительTransphorm
Партномер производителяTP65H480G4JSG-TR
ОписаниеGallium Nitride (GaN) Devices Transphorm TP65H480G4JSG-TR
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Транзисторы GaN (GaN HEMT) |
| Производитель | Transphorm |
| Вес | 1 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation | 13.2W |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current | 3.6A |
| Drain Source Breakdown Voltage | 650V |
| Drain Source On-State Resistance(8V) | 560mΩ |