TPH3206PD

TPH3206PD

ПроизводительTransphorm
Партномер производителяTPH3206PD
ОписаниеGallium Nitride (GaN) Devices Transphorm TPH3206PD

Характеристики

ПараметрЗначение
КатегорияТранзисторы GaN (GaN HEMT)
ПроизводительTransphorm
Вес1
Operating Temperature-55℃~+175℃
Power Dissipation96W
Transistor Type1 N-Channel
Continuous Drain Current17A
Drain Source Breakdown Voltage600V
Drain Source On-State Resistance(8V)180mΩ