P1H06300D8
P1H06300D8
ПроизводительPN Junction Semiconductor
Партномер производителяP1H06300D8
ОписаниеGallium Nitride (GaN) Devices PN Junction Semiconductor P1H06300D8
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Транзисторы GaN (GaN HEMT) |
| Производитель | PN Junction Semiconductor |
| Вес | 1 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation | 55.5W |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Continuous Drain Current | 10A |
| Drain Source Breakdown Voltage | 650V |