S1D020120C

S1D020120C

ПроизводительSichainsemi
Партномер производителяS1D020120C
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices Sichainsemi S1D020120C
DatasheetDatasheet

Характеристики

ПараметрЗначение
КатегорияМикросхемы шрифтов
ПроизводительSichainsemi
Вес7.544
Forward Voltage (Vf@If)1.4V@20A
Reverse Voltage (Vr)1200V
Reverse Leakage Current (Ir)1uA@1200V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1.2kV
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current152A
Current - Rectified67A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃
Voltage - Forward(Vf@If)1.4V@20A