YHJ-65P150TK
YHJ-65P150TK
ПроизводительNITRIDE
Партномер производителяYHJ-65P150TK
ОписаниеGallium Nitride (GaN) Devices NITRIDE YHJ-65P150TK
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Транзисторы GaN (GaN HEMT) |
| Производитель | NITRIDE |
| Вес | 2.7 |
| Input Capacitance | 505pF |
| Drain-source on-state resistance | 150mΩ |
| Total Gate Charge | 12nC |
| Output Capacitance | 29pF |
| Reverse Transfer Capacitance | 1pF |
| Continuous Drain Current | 12A |
| Drain Source Breakdown Voltage | 650V |