Z0109MN0,135
Z0109MN0,135
ПроизводительWeEn Semiconductors
Партномер производителяZ0109MN0,135
ОписаниеTransistors/Thyristors WeEn Z0109MN0,135
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Тиристоры (SCR)/модули |
| Производитель | WeEn Semiconductors |
| Вес | 0.17 |
| Gate Trigger Voltage (Vgt) | 1V |
| Holding Current (Ih) | 10mA |
| Average Gate Power Dissipation (PG(AV)) | 100mW |
| Peak off - state voltage(Vdrm) | 600V |
| Current - Gate Trigger(Igt) | 10mA |
| Voltage - On State(Vtm) | 1.6V |
| Current - On State(It(RMS)) | 1A |
| Current - Surge(Itsm@f) | 13.8A |