US1B R3G

US1B R3G

ПроизводительTaiwan Semiconductor
Партномер производителяUS1B R3G
ОписаниеDiodes Taiwan Semiconductor US1B R3G

Характеристики

ПараметрЗначение
КатегорияКоммутационные диоды
ПроизводительTaiwan Semiconductor
Вес1
Operating Temperature-55℃~+150℃
Rectified Current1A
Forward Voltage (Vf@If)1V@1A
Reverse Voltage (Vr)100V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Reverse Leakage Current5uA@100V