UMH4NTN
UMH4NTN
ПроизводительROHM Semicon
Партномер производителяUMH4NTN
ОписаниеTransistors/Thyristors ROHM UMH4NTN
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Цифровые транзисторы |
| Производитель | ROHM Semicon |
| Вес | 0.025 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Input Resistor | 10kΩ |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 50V |
| Pd- Power Dissipation | 150mW |
| Current - Collector(Ic) | 100mA |
| Number | - |
| DC Current Gain | 100@1mA,5V |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V |