1N4766

1N4766

ПроизводительLGE
Партномер производителя1N4766
ОписаниеDiodes LGE 1N4766
DatasheetDatasheet

Характеристики

ПараметрЗначение
КатегорияПрямой цифровой синтез (DDS)
ПроизводительLGE
Вес0.303
Tolerance±10%
Reverse Leakage Current (Ir)5uA
Pd- Power Dissipation1W
Impedance(Zzt)550Ω
Zener Voltage(Nom)120V
Impedance(Zzk)4.5kΩ