SFFSD1065A

SFFSD1065A

ПроизводительJSMSEMI
Партномер производителяSFFSD1065A
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices JSMSEMI SFFSD1065A
DatasheetDatasheet

Характеристики

ПараметрЗначение
КатегорияМикросхемы шрифтов
ПроизводительJSMSEMI
Вес1
Reverse Leakage Current (Ir)80uA@650V
Diode Configuration1 Independent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current65A
Current - Rectified38A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃
Voltage - Forward(Vf@If)1.8V@10A