SC4D20120H
SC4D20120H
ПроизводительJSMSEMI
Партномер производителяSC4D20120H
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices JSMSEMI SC4D20120H
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Микросхемы шрифтов |
| Производитель | JSMSEMI |
| Вес | 1 |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 200uA@1200V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 140A |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@20A |