CI30S65D3
CI30S65D3
ПроизводительTokmas
Партномер производителяCI30S65D3
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices Tokmas CI30S65D3
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Микросхемы шрифтов |
| Производитель | Tokmas |
| Вес | 7.827 |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 20uA@650V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 135A |
| Current - Rectified | 30A |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@15A |