RSM120080Z
RSM120080Z
ПроизводительREASUNOS
Партномер производителяRSM120080Z
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices REASUNOS RSM120080Z
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Полевой транзистор из карбида кремния (MOSFET) |
| Производитель | REASUNOS |
| Вес | 8.177 |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃ |
| Power Dissipation | 166W |
| Input Capacitance | 1475pF |
| Channel Type | 1 N-Channel |
| Total Gate Charge | 79nC |
| Reverse Transfer Capacitance | 11pF |
| Continuous Drain Current | 36A |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 80mΩ |