RSM1701K0W
RSM1701K0W
ПроизводительREASUNOS
Партномер производителяRSM1701K0W
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices REASUNOS RSM1701K0W
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Полевой транзистор из карбида кремния (MOSFET) |
| Производитель | REASUNOS |
| Вес | 8.7 |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃ |
| Power Dissipation | 69W |
| Input Capacitance | 186pF |
| Channel Type | 1 N-Channel |
| Total Gate Charge | 21.8nC |
| Reverse Transfer Capacitance | 1.6pF |
| Continuous Drain Current | 5A |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 1000mΩ |