S1P05R120HBB
S1P05R120HBB
ПроизводительSichainsemi
Партномер производителяS1P05R120HBB
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices Sichainsemi S1P05R120HBB
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Полевой транзистор из карбида кремния (MOSFET) |
| Производитель | Sichainsemi |
| Вес | 1 |
| Type | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
| Current - Continuous Drain(Id) | 240A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V |
| Gate Charge(Qg) | 576nC |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.06pF |
| Ciss-Input Capacitance | 16.2pF |