P3D12010G2
P3D12010G2
ПроизводительPN Junction Semiconductor
Партномер производителяP3D12010G2
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices PN Junction Semiconductor P3D12010G2
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Диоды SiC |
| Производитель | PN Junction Semiconductor |
| Вес | 1 |
| Reverse Voltage (Vr) | 1.2kV |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V |
| Rectified Current (Io) | 33A |