ti-store logotype
Войти

F3C10170D

F3C10170D

ПроизводительFUXINSEMI
Партномер производителяF3C10170D
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices FUXINSEMI F3C10170D
Запросить

Характеристики

ПараметрЗначение
КатегорияДиоды SiC
ПроизводительFUXINSEMI
Вес7.82
Forward Voltage (Vf@If)1.7V@10A
Reverse Voltage (Vr)1.7kV
Reverse Leakage Current (Ir)20uA@1.7kV
Diode ConfigurationIndependent Type
Rectified Current (Io)14.4A